Национальный исследовательский университет – главная кузница кадров в области микроэлектроники
30 сентября во время визита заместителя Председателя Правительства Российской Федерации – министра промышленности и торговли России Дениса Мантурова на инновационной площадке Национального исследовательского университета «Московский институт электронной техники» («МИЭТ») были представлены ведущие научные и технологические площадки института.
Вице-премьер посетил университет, главную кузницу страны в подготовке специалистов в области микроэлектроники. Национальный исследовательский университет «МИЭТ» – центр образования, науки и инноваций в области высоких технологий, входит в топ-10 сильнейших университетов России в предметном рейтинге RAEX. Как инициатор и один из ключевых участников федерального проекта «Подготовка кадров и научного фундамента для электронной промышленности» университет нацелен на вовлечение студентов и специалистов в отрасль, создание технологий и изделий микроэлектроники, развитие научно-технологической инфраструктуры.
На площадке «МИЭТ» реализуется ряд российско-белорусских проектов. С начала 2024 года стартует процесс испытаний и отработка технологий оборудования на специализированной площадке инженерно-исследовательского центра, представленного АО «Зеленоградский нанотехнологический центр» (ЗНТЦ). Предполагается, что по такой модели, позволяющей существенно сократить путь отечественного оборудования от разработки до производства, будет работать в целом программа электронного машиностроения.
Денис Мантуров совместно с помощником Президента России Андреем Фурсенко и президентом Российской академии наук Геннадием Красниковым осмотрели сборочные производства современных микросхем для различных отраслей радиоэлектроники. Высокотехнологичный процесс сборочного производства АО «ЗНТЦ» позволяет собирать такие изделия, как микроконтроллеры для автомобильной промышленности и гражданской электроники, микросхемы для медицинской промышленности и многое другое.
Делегации продемонстрировали результаты реализации программы электронного машиностроения, в частности, введенное в действующее производство оборудование для металлизации микросхем на основе GaNSi (нитрид галлия на кремнии), разработанное зеленоградскими компаниями (АО «НИИ точного машиностроения», АО «НПП «Электронное специальное-технологическое оборудование») в кооперации с профильными предприятиями и университетами.
Нитрид-галлиевая технология – одно из наиболее перспективных и быстроразвивающихся направлений в силовой и СВЧ-электронике в мире. Ключевыми устройствами, в которых применяются СВЧ и силовые транзисторы, изготовленные на основе GaNSi-технологии, являются: телекоммуникационное оборудование 4G, 5G, а также интернет вещей, оборудование радиоспектроскопии, Wi-Fi-оборудование, медицинское рентгенологическое оборудование, метеорадары и другие.
